ICS 29.045 H83 中华人民共和国国家标准 GB/T 11072—2009 代替GB/T11072—1989 化铟多晶、单晶及切割片 Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices 2009-10-30发布 2010-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 11072—2009 前言 本标准代替GB/T11072一1989《锑化钢多晶、单晶及切割片》。 本标准与GB/T11072—1989相比，主要有如下变化： 将原标准中直径10mm50mm全部改为10mm~200mm； 在原标准的基础上增加了直径>50mm，厚度不小于1200μm，厚度偏差士40μm； 一在原标准的基础上增加了直径为100mm、150mm、200mm的切割片直径、参考面长度及其 偏差； 将原标准中的附录A去掉，增加引用标准GB/T11297； 增加了“订货单(或合同)内容”一章内容。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。 本标准主要起草人：王炎、何兰英、张梅 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T11072—1989。 I GB/T11072—2009 化钢多晶、单晶及切割片 1范围 1.1本标准规定了锑化钢多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。 1.2本标准适用于区熔法制备的化钢多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑 化多晶、单晶及切割片。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T4326非本征半导体晶体霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T8759化合物半导体单晶晶向X衍射测量方法 GB/T11297锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 3产品分类 3.1导电类型、规格 3.1.1多晶 多晶的导电类型为n型，按载流子迁移率分为三级 3.1.2单晶 锑化铟单晶按导电类型分为n型和p型，以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按直径与位错密度 分为三级。 3.1.3切割片 按3.1.2分类与分级，其厚度不小于500μm。 3.2牌号 3.2.1锑化钢多晶与单晶的牌号表示为： InSb 口 3 -2 1 1—一用PInSb表示锑化铟多晶，MInSb表示锑化钢单晶； 2—化学元素符号表示掺杂剂； 3——阿拉伯数字表示产品等级。 若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略。 3.2.2锑化钢单晶切割片牌号表示为： GB/T11072—2009 InSb CS -4 -3 2 1 MInSb表示锑化钢单晶； 化学元素表示掺杂剂； CS表示切割片； 4——阿拉伯数字表示产品等级。 若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略。 注：1级掺碲锑化铟单晶切割片表示为： MInSb-Te-CS-1 4技术要求 4.1 多晶 4.1.1多晶不应有裂纹和机械损伤，不允许有夹杂物。 4. 1.2 多晶的电学性能应符合表1的规定 表1多晶的电学性能(77K) 载流子浓度/ 迁移率/ 导电类型 级别 cm-3 [cm"/(V· s)] SAG 1 5×1013~1X104 >6X10' n 2 5×1013~1×10 >5×10'~6×105 3 5X1013~1×10 >4×105~5X105 4.2单晶及切割片 4.2.1单晶及切割片不得有裂纹、空洞和李晶线等缺陷，切割片表面不得有肉眼可见的刀痕，因切割而 引起的缺口或崩边应在2mm以内。 4.2.2非掺杂和掺杂锑化钢单晶的电化学性能与位错密度应符合表2的规定，用于磁敏元件的化钢 单晶及切割片的电学性能应符合表3的规定 表2非掺杂和掺杂锑化铟单晶电学性能（77K）和位错密度 位错密度/ 导电 载流子浓度/ 迁移率/ 电阻率/ 直径/ 牌号 掺杂剂 cm2 类型 cm-3 [cm"/(V s)] (.U) mm 不大于 500 非掺杂 MInSb (1~5)X10l+ ≥4. 5X105 n ≥0.027 10~200 1000 500 MInSb-Te Te 1X1015~7X1018 n 2.4X105~1X101 0. 026~0.000 1 10~200 1000 500 MInSb-Sn Sn 1X1015~7X1018 2.4X105~1X10 n 0.026~0.0001 10~200 1000 2 GB/T11072—2009 表2(续) 位错密度/ 导电 载流子浓度/ 迁移率/ 电阻率/ 直径/ 牌号 掺杂剂 cm=2 类型 cm-3 [cm²/(V. s)] ( .U) mm 不大于 500 MInSb-Ge Ge 1X10~9X1017 1X10'~6×102 p 0.62~0.012 10~200 1000 500 MInSb-Zn Zn 1X1015~9X1017 1×10~6X102 0.62~0.012 10~200 p 1000 500 MInSb-Cd Cd p 1X1015~9X1017 1X10'~6X102 0.62~0.012 10~200 1000 表3） 用于磁敏元件的锑化钢单晶电学性能（300K） 载流子浓度/cm-" 迁移率/ 位错密度/ 直径/ 导电类型 掺杂剂 晶向 不大于 [cm"/(V·s)],不小于 cm-2,不大于 mm 非掺杂 2.3X1016 6.5X10* 500 10~200 <111) n 非掺杂 2.3×1016 6.5X10* 1000 10~200 (111) n 4.2. 3 锑化铟单晶棒两端面的法线方向与所要求的晶向偏离应不大于3°。切割片的晶向偏离应不大 于0.5° 4.2.4 切割片厚度及偏差见表4。 表4切割片的厚度及偏差 直径D/ ≥10~20 >20~30 >30~40 >40~50 >50 mm 厚度/μm， 500 600 800 1000 1200 不小于 SZAC 厚度偏差/ ±20 ±25 ±30 ±35 ±40 μm 4. 2. 5 ：非掺杂和掺杂单晶及切割片按位错密度和直径分为三级，见表5。 表5位错密度等级 位错密度No/ 直径D/ 级 别 (个·cm-²) mm 1 <100 30~200 <100 <30 2 100~500 30~200 3 >500~1000 10~200 4.2. 6 （111)晶面切割片的参考面如图1所示。其直径、参考面长度及其偏差见表6。 3