GB-T 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法

UDC 661.868.247 :621.317.33 L 90 中华人民共和国国家标准 GB 11297.7—89 化钢单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 Test method for resistivity and Hall coefficient in InSbsinglecrystals 1989-03-31发布 1990-01-01实施国家技术监督局发布中华人民共和国国家标准 UDC661.868.247 化铟单晶电阻率及覆耳系数的 621.317.33 测试方法 GB 11297. 7-89 Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals 本方法适用于长方体和薄片锑化锯单晶样品的电阻率和筐耳系数的测量。本方法所采用的样品是从锑化单晶中切割制备的，在特定位置上施加电极接触，用直流方法测量样品的电阻率和耳系数，而后计算该样品的载流子浓度和载流子迁移率。本方法适用于电阻率10~10°0·cm的锑化单晶样品。 1 测量原理 1.1锑化铟单晶电阻率的测量化铟单晶的电阻率可直接测量，是在零磁场条件下测定的。电阻率的定义是材料中平行于电流的电位梯度与电流密度的比值。图1为测量电阻率的原理电路。图1测量电阻率的原理电路在长方体标准样品两端的电流电极1、2间加恒定的样品电流1，则样品侧面上的电极接触点3、1间产生电导电压U，，若它们之间的联线平行于电流方向，那么电极接触所在处的电阻率为： U,b.h p= (1) 式中：p 样品电阻率，Q·m; U,电导电压，V, 1—样品电流强度，A，样品宽度，m；中华人民共和国机械电子工业部1988-10-09批准 1990-01-01实施 1

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本文档由人生无常于 2024-06-20 14:14:38上传分享