ICS31.140 L21 中华人民共和国国家标准 GB/T9532—2012 代替GB/T9532—1988 压 电单晶材料型号命名方法 Designationsforpiezoelectriccrystals 2012-11-05发布 2013-02-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T9532—1988《铌酸锂、钽酸锂、锗酸铋、硅酸铋压电单晶材料型号命名方法》,与 GB/T9532—1988相比,除编辑性修改外主要变化如下: ———原标准名称改为:压电单晶材料型号命名方法; ———增加了铌酸钾、四硼酸锂、锗酸镓锶和镓镧系列; ———增加了Y128°生长的钽酸锂单晶示例。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国频率控制与选择用压电器件标准化技术委员会(SAC/TC182)归口。 本标准起草单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所、中科院上海硅酸盐所。 本标准主要起草人:张晓梅、蒋春健、徐家跃、金中洪。 ⅠGB/T9532—2012 压电单晶材料型号命名方法 1 范围 本标准规定了声表面波和声体波器件用压电单晶材料型号命名方法。 本标准适用于声表面波和声体波器件用压电单晶材料型号命名方法。 本标准不适用于人造石英晶体材料型号命名方法。 2 型号命名 2.1 型号组成部分 压电单晶材料型号由以下五个部分组成: 2.2 第1部分,材料的主要组分 用化学元素的缩写符号表示,见表1规定。 表1 材料的主要组分 型号的第1部分 材料的中文名称 材料的化学分子式 LN 铌酸锂 LiNbO3 KN 铌酸钾 KNbO3 LT 钽酸锂 LiTaO3 BGO 锗酸铋 Bi12GeO20 BSO 硅酸铋 Bi12SiO20 LBO 四硼酸锂 Li2B4O7 LGS 硅酸镓镧 La2Ga5SiO14 LGN 铌酸镓镧 La2Ga5.5Nb0.5O14 LGT 钽酸镓镧 La2Ga5.5Ta0.5O14 SGG 锗酸镓锶 Sr3Ga2Ce4O14 1GB/T9532—2012 2.3 第2部分,材料的掺杂成分 用掺杂的元素符号表示,元素符号前,用标点符号“:”。若不使用掺杂材料,此部分可省略。 2.4 第3部分,材料的主要用途 用“Y”表示压电用途。 2.5 第4部分,垂直于晶体生长方向的晶体尺寸 用阿拉伯数字表示。截面为圆形,用直径表示;若为方形,用长宽相乘表示。单位为毫米(mm),但 不标注。 2.6 第5部分,晶体生长方向 用直角坐标系表示。 注:第2部分和第3部分之间以及第4部分和第5部分之间均用“-”分开。 2.7 举例 例1:铌酸锂单晶 例2:铌酸锂单晶(掺铁) 2GB/T9532—2012 例3:硅酸镓镧单晶 例4:钽酸锂单晶 GB/T9532—2012 2102—2359T/BG 中华人民共和国 国家标准 压电单晶材料型号命名方法 GB/T9532—2012 * 中国标准出版社出版发行 北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013) 北京市西城区三里河北街16号(100045) 网址:www.gb168.cn 服务热线:010-68522006 2013年4月第一版 * 书号:155066·1-46407 版权专有 侵权必究