ICS29.045 H80/84 团体标准 T/IAWBS012-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 TestMethodforSurfaceQualityandMicropipeDensityofSilicon CarbideSingleCrystalPolishingWafers——ConfocalandDifferential InterferometryOptics 2019-12-27发布 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 2019-12-31实施 全国团体标准信息平台 T/IAWBS012—2019 I目次 目录 前  言....................................................................................................................................................2 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的测试方法............................................................................1 ——共焦点微分干涉光学法....................................................................................................................1 1范围........................................................................................................................................................1 2规范性引用文件....................................................................................................................................1 3术语和定义............................................................................................................................................1 4原理........................................................................................................................................................1 5测试仪器................................................................................................................................................2 6测试样品................................................................................................................................................2 7测试环境................................................................................................................................................2 8测试程序................................................................................................................................................2 9干扰因素................................................................................................................................................3 10精密度..................................................................................................................................................3 11测试报告..............................................................................................................................................3 A.2划痕....................................................................................................................................................5 A.3凹坑....................................................................................................................................................5 A.4凸起....................................................................................................................................................6 A.5颗粒....................................................................................................................................................6 全国团体标准信息平台 T/IAWBS012—2019 II前  言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任。 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口。 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国电子科技集团公司第四 十六研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第二研究所、中 国电子科技集团公司第五十五研究所。 本标准主要起草人：李晖、高飞、林健、程红娟、郑风振、杨丹丹、窦瑛、李佳、侯 晓蕊、王立忠、李忠辉、佘宗静、陈鹏、韩超。 全国团体标准信息平台 T/IAWBS012—2019 1碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 1范围 本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法， 表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。 本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片，抛光片直径为50.8 mm、76.2mm、100.0mm、150.0mm，厚度为300μm~1000μm。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适 用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T14264半导体材料术语 GB/T30656-2014碳化硅单晶抛光片 GB/T31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 GB50073-2013洁净厂房设计规范 3术语和定义 GB/T14264、GB/T30656-2014和GB/T31351-2014界定的术语和定义适用于本文件， 具体的缺陷图谱参见附录A。 4原理 采用共焦点微分干涉光学系统，入射光（546nm）通过诺马斯基棱镜和物镜后照射到晶 片表面，晶片表面反射的光线通过共聚焦光学系统到达检测器（CCD），对待测晶片进行 全表面扫描，获得晶片表面各个位置的真实图像，与预设的各种缺陷的特征参数信息相比较， 对抓捕到的缺陷进行分类识别并对缺陷的数量进行统计，可以获得各类缺陷在晶片表面的分 布图，以及各类缺陷的数量。具体测试原理图见图1。 全国团体标准信息平台 T/IAWBS012—2019 2 图1共焦点微分干涉光学系统测试原理图 5测试仪器 共焦点微分干涉光学系统应满足以下条件： a）具备自动机械手臂，自动取样； b）具