ICS29.045 H80/84 团体标准 T/IAWBS011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 Testmethodsformeasuringresistivityofconductivesiliconcarbide waferswithanoncontacteddy-currentgauge 2019-12-27发布 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 2019-12-31实施 全国团体标准信息平台 全国团体标准信息平台 T/IAWBS011—2019 I目录 目录......................................................................................................................................................I 前  言............................................................................................................................................II 1范围.............................................................................................................................................1 2规范性引用文件.........................................................................................................................1 3术语和定义.................................................................................................................................1 4测试原理.....................................................................................................................................1 5测试仪器.....................................................................................................................................2 6干扰因素.....................................................................................................................................2 7测试环境.....................................................................................................................................3 8测试样片.....................................................................................................................................3 9测试程序.....................................................................................................................................3 9.1仪器校准.....................................................................................................................3 9.2测量点分布.................................................................................................................3 9.3测量.............................................................................................................................4 10精密度.................................................................................................................................4 11测试报告.............................................................................................................................5 全国团体标准信息平台 T/IAWBS011—2019 II前  言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。 请注意本标准中的某些内容可能涉及专利，本标准的发布机构不承担识别这些专利的责 任。 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口。 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科钢研节能科技有限公司, 北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公 司,国宏中宇科技发展有限公司。 本标准主要起草人：张岩、赵然、李龙远、刘素娟、赵子强、郑红军、陆敏、刘春俊、 王文军、刘祎晨、林雪如、陈鹏、韩超。 全国团体标准信息平台 T/IAWBS011—2019 1导电碳化硅单晶片电阻率测试方法—非接触涡流法 1范围 本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。 本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。 本标准适用于电阻率0.005Ω·cm到200Ω·cm和表面电阻0.032Ω/□到3000Ω/□的范围。 2规范性引用文件 下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本 适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本标准。 GB/T6379.2测量方法与结果的准确度(正确度与精密度)第2部分:确定标准测量方法 重复性与再现性的基本方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T30867-2014碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本标准。 4测试原理 本标准采用非接触涡流法测定电阻率。将导电碳化硅单晶片试样插入一对共轴涡流探头 （传感器）之间的固定间隙内，与振荡回路相连接的两个涡流探头之间的交变磁场在导电碳 化硅单晶片上感应涡流，具体测试原理图见图1。则功耗Pc为： 图1测试原理示意图 ) (e t c I IEI E Po t  .…………………………….(1) 式中铁样射 铁磁芯 样品 射频电流发生器 全国团体标准信息平台 T/IAWBS011—2019 2Pc——射频功耗； Et——射频电压（恒量）； I—射频驱动电流； Io——未带负载射频电流； Ie——带负载射频电流； 则加入样品后射频功耗（Pe）； ρtKI E Pe t e……………………………….(2) 其中 K——耦合参数； ρ——样品电阻率欧姆厘米（Ω·cm）； t——样品厚度； ρs——表面电阻欧姆方块（Ω/□）； 由此推出加入样品后的射频电流为 ρ tt EKIe………………………………..………….(3) 推出样品电阻率 eIEK  ttρ …………………………………….…….(4) 则方块电阻为 esIEK  ttρρ ……….……………………..............(5) 式中K，Et为常数 5测试仪器 电阻率测试仪应满足以下内容： a)本标准所用涡流法低阻电阻率测试仪需要有涡流传感器组件，信号处理器； b)可测量电阻率0.005Ω·cm~200Ω·cm，0.032Ω/□~3000Ω/□； c)测量精度优于±3%。 6干扰因素 6.1单晶片总厚度偏差过大会影响测试结果的准确性，建议小于100μm； 6.2晶片表面被粘污或有表面损伤或粗糙度会造成测试结果误差； 6.3测试环境的温度、湿度和光照强度的不同会影响测试结果； 全国团体标准信息平台 T/IAWBS011—2019 36.4静电、噪音、振动等测试环境可影响测试结果； 6.5设备附近的高频电源，会产生一个加载电流造成结果误差，所以必须提供屏蔽保护和 电源滤波装置； 6.6测