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ICS 31.080 H 80/84 团体 标准 T/CASA S 003—2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 4H-SiC Epitaxial Wafers for p -IGBT Devices 版本: V01.00 2018-11-20发布 2018-11-20实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布 全国团体标准信息平台 T/CASA S 003-2018 I 目录 前言 ................................ ................................ ................................ ................................ ........ III 1 范围 ................................ ................................ ................................ ................................ ..... 1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ ................................ ................. 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ................................ ......................... 1 4 分类和标记 ................................ ................................ ................................ ......................... 2 4.1 产品分类 ................................ ................................ ................................ .................. 2 4.2 标记 ................................ ................................ ................................ .......................... 2 5 要求 ................................ ................................ ................................ ................................ ..... 3 5.1 衬底 ................................ ................................ ................................ .......................... 3 5.2 表面缺陷 ................................ ................................ ................................ .................. 3 5.3 表面粗糙度 ................................ ................................ ................................ .............. 3 5.4 外延层厚度均匀性 ................................ ................................ ................................ .. 4 5.5 掺杂浓度均匀性 ................................ ................................ ................................ ...... 4 6 试验方法 ................................ ................................ ................................ ............................. 4 6.1 试验条件 ................................ ................................ ................................ .................. 4 6.2 衬底检测 ................................ ................................ ................................ .................. 4 6.3 表面缺陷检测 ................................ ................................ ................................ .......... 5 6.4 表面粗糙度检测 ................................ ................................ ................................ ...... 5 6.5 外延层厚度均匀性检测 ................................ ................................ .......................... 5 6.6 掺杂浓度均匀性检测 ................................ ................................ .............................. 7 7 检验规则 ................................ ................................ ................................ ............................. 8 7.1 检验分类 ................................ ................................ ................................ .................. 8 7.2 交付检验 ................................ ................................ ................................ .................. 8 7.3 鉴定检验 ................................ ................................ ................................ .................. 9 8 标志、包装、运输和贮存 ................................ ................................ ................................ . 9 8.1 标志 ................................ ................................ ................................ .......................... 9 8.2 包装 ................................ ................................ ................................ ........................ 10 8.3 运输 ................................ ................................ ................................ ........................ 10 8.4 储存 ................................ ..................
T-CASAS 003—2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
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