ICS 31.080.01 L 40 中华人民共和国国家标准 GB/T 249—2017 代替GB/T249—1989 半导体分立器件型号命名方法 The rule of type designation for discrete semiconductor devices 2017-05-12发布 2017-12-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 249—2017 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草 术变化如下： 混频管和检波管分别命名（见3.1，1989年版的3.1）； 二极管第二部分增加了符号E，代表化合物或合金材料（见3.1)； 增加了噪声管和限幅管的命名（见3.1)； 一增加了晶体管阵列的命名（见3.2）； “ZL"由代表整流管阵列改为代表二极管阵列（见3.21989年版的3.2）； 增加了肖特基二极管的命名（见3.2）； 增加了触发二极管的命名（见3.2)。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所。 本标准主要起草人：陈海蓉、崔波、李丽霞。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： 1 GB/T 249—2017 半导体分立器件型号命名方法 1范围 本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。 本标准适用于各种半导体分立器件。 2 型号组成原则 2.1半导体分立器件的型号五个组成部分的基本意义如下： 第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 用汉语拼音字母表示规格号 用阿拉伯数字表示登记顺序号 用汉语拼音字母表示器件的类别 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 用阿拉伯数字表示器件的电极数目 3 型号组成部分的符号及其意义 3.1由第一部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义见表1。 表1由第一部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用阿拉伯数字表 用阿拉伯 用汉语拼音 用汉语拼音字母表示 示器件的电极数 用汉语拼音字母表示器件的类别 数字表示 字母表示 器件的材料和极性 目 登记顺序号 规格号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 2 二极管 A N型，锗材料 P 小信号管 B P型，锗材料 H 混频管 c N型,硅材料 V 检波管 D P型，硅材料 W 电压调整管和电压基准管 E 化合物或合金 c 变容管 材料 Z 整流管 三极管 PNP型，锗材料 L 整流堆 3 A B NPN型，锗材料 s 隧道管 c PNP型，硅材料 K 开关管 GB/T 249—2017 表1 (续) 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用阿拉伯数字表 用阿拉伯 用汉语拼音 用汉语拼音字母表示 示器件的电极 用汉语拼音字母表示器件的类别 数字表示 字母表示 器件的材料和极性 数目 登记顺序号 规格号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 3 三极管 D NPN型，硅材料 N 噪声管 E 化合物或合金 F 限幅管 材料 X 低频小功率晶体管 (f,<3 MHz,Pc<1 W) 高频小功率晶体管 (f≥3 MHz,Pc<1 W) D 低频大功率晶体管 (f <3 MHz,Pc≥1 W) A 高频大功率晶体管 (f,≥3 MHz,Pc≥1 W) T 闸流管 Y 体效应管 B 雪崩管 J 阶跃恢复管 示例1： 硅NPN型高频小功率晶体管 DG 规格号 登记顺序号 高频小功率晶体管 NPN型，硅材料 三极管 3.2 2由第三部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义见表2。 表2由第三部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义 第三部分 第四部分 第五部分 用阿拉伯数字 用汉语拼音字母 用汉语拼音字母表示器件的类别 表示登记顺序号 表示规格号 符号 意义 CS 场效应晶体管 BT 特殊晶体管 FH 复合管 JL 晶体管阵列 PIN PIN二极管 ZL 二极管阵列 QL 硅桥式整流器 2