ICS 31.200 L 55 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 32814—2016 硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范 Silicon-based MEMS fabrication technology- Specification for criterion of the SOI wafer based MEMS process 2016-08-29发布 2017-03-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T32814—2016 目 次 前言 范围 1 规范性引用文件 2 术语和定义 3 工艺流程 4.1 概述 4.2 硅片清洗 4.3 掩膜制备 4.4 干法刻蚀 4.5 结构释放 4.6 硅片去掩膜 工艺加工能力 5.1工艺能力要求 5.2工艺稳定性要求 工艺保障条件要求 6 6.1人员要求 6.2环境要求 6.3 设备要求 原材料及辅助材料要求 7 安全与环境操作要求 8 8.1 安全 8.2 化学试剂 10 8.3 排放 10 9检验 10 9.1 总则 10 9.2 关键工艺检验 10 9.3 最终检验 SAC GB/T 32814—2016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC336）提出并归口。 本标准主要起草单位：西北工业大学、中机生产力促进中心。 本标准主要起草人：苑伟政、谢建兵、李海斌、乔大勇、马志波、常洪龙、刘伟。 GB/T32814—2016 硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范 1范围 本标准规定了采用SOI硅片进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于SOI硅片的MEMS器件的加工和质量检验。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T26111微机电系统（MEMS)技术术语 GB50073洁净厂房设计规范 3术语和定义 GB/T26111界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 绝缘体上硅 silicon-on-insulator;Sol 在两层硅中间引人一层氧化层，形成一种“硅-二氧化硅-硅”的三明治结构的技术。其中顶层硅称 为器件层（devicelayer），底层硅称为衬底层（handlelayer），二氧化硅层称为埋层（buriedlayer）。 注：目前制备SOI硅片的技术包括注氧隔离（separationbyimplantedoxygen，SIMOX）技术、硅片键合和背面减薄 (bondingSOl，BSOI)技术和将键合与注入相结合的智能剥离（smartcut）技术。 3.2 释放 releasing 使MEMS结构中的可动部分与其余部分分离，使其可动的过程。 3.3 深反应离子刻蚀 deepreactive lon etching;DRIE 一种具有高深宽比的反应离子刻蚀方法，通常采用感应耦合等离子体（inductivelycoupledplasma， ICP)刻蚀，有时也称作ICP刻蚀。 3.4 footing效应footingeffect SOI硅片在进行深反应离子刻蚀的过程中，当刻蚀到达埋层时，发生的横向刻蚀现象。 4工艺流程 4.1概述 基于SOI硅片的MEMS工艺流程包括掩膜制备、干法刻蚀结构释放等部分，如图1所示，其中的 关键工艺用（G)表示。 1